Техинформ.Производство.АК5

Проектирование, монтаж, пуско-наладочные работы оборудования связи.

ТЭЗ АК 5

ТЭЗ АК 5

1. НАЗНАЧЕНИЕ

1.1. ТЭЗ абонентских комплектов предназначен для использования в составе абонентского модуля и обеспечивает:

питание микрофона абонента;

защиту абонентского комплекта от опасных напряжений;

посылку вызывного сигнала абоненту;

определение состояния шлейфа (замкнут или разомкнут) и прием набираемого абонентом номера (при наборе номера импульсным способом);

переход от двухпроводного речевого трактаи к четырехпроводному;

кодирование исходящего речевого сигнала в ИКМ-формат;

декодирование входящего речевого сигнала из ИКМ-формата в сигнал звуковой частоты;

подключение абонентской линии и абонентского комплекта к тестовому оборудованию;

1.2. АК5 предназначен для круглосуточной работы в стационарных условиях при воздействии следующих климатических факторов:

температура окружающего воздуха от 5 ° C до 45 ° C ;

относительная влажность воздуха до 95% при температуре 30 ° C ;

атмосферное давление от 60 до 107 кПа (от 630 до 800 мм рт.ст.).

2. ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

2.1. Характеристики тракта передачи

2.1.1. Характеристики интерфейса.

2.1.1.1. Номинальное значение станционного импеданса: 150 Ом - 510 Ом // 47 Нф

2.1.1.2. Затухание отражения относительно тестовой цепи, равной номинальному значению станционного импеданса:

300 - 500 Гц не менее 14 дБ

500 - 2000 Гц не менее 18 дБ
2000 - 3400 Гц не менее 14 дБ

2.1.1.3. Затухание асимметрии относительно земли (затухание продольного перехода):

300 - 600 Гц не менее 40 дБ

600 - 3400 Гц не менее 46 дБ

2.1.1.4. Порог перегрузки:

номинальный уровень 3,14 дБмО

отклонение +- 0,3 дБмО

2.1.1.5. Уровни передачи:

измеренные на частоте f=1020 Гц при нагрузке на полное комплексное сопротивление

	Входной уровень	Выходной уровень
Номинальный уровень, дБ	0	-1
Отклонение, дБ	-0,3…+0,7	-0,7…+0,3

2.1.2. Характеристики полусоединения.

2.1.2.1. Рабочее затухание:

измеренное на частоте f=1020 Гц

	От Z к V2	От V2 к M
Номинальный уровень, дБ	0	-1
Отклонение, дБ	-0,3…+0,7	-0,3…+0,7

2.1.2.2. Кратковременные изменения рабочего затухания:

измеренные на частоте f=1020 Гц при уровне -10 дБмО отклонение затухания не более ± 0,2 дБ в течение любого 10-минутного интервала.

2.1.2.3. Амплитудная характеристика:

частота 1020 Гц

относительный уровень 10 дБмО

идентичные требования для обоих направлений передачи

входной уровень	выходной уровень
- 55...-50 дБмО	± 1.6 дБ
-50...-40 дБмО	± 0.6 дБ
-40...3 дБмО	± 0.3 дБ

2.1.2.4. Амплитудно-частотная характеристика

относительно частоты 1020 Гц

уровень 10 дБмО

идентичные требования для обоих направлений передачи

Частота	Отклонение рабочего затухания
300…400 Гц	-0.3…1.0 дБ
400…600 Гц	-0.3…0.75 дБ
600…2000 Гц	-0.3…0.35 дБ
2000…2400 Гц	-0.3…0.35 дБ
2400…3000 Гц	-0.3…0.55 дБ
3000…3400 Гц	-0.3…1.5 дБ

2.1.2.5. Абсолютное груповое время прохождения (ГПВ) в диапазоне частот 500…2800 Гц. Идентичные требования для обоих направлений передачи уровень 10 дБмО

среднее значение < 2700 мкс
с вероятностью 0,95 < 3700 мкс

2.1.2.6. Отклонение ГПВ в зависимости от частоты относительно f=1792 Гц уровень 10 дБмО идентичные требования для обоих направлений передачи

частота	отклонение ГПВ
500…600 Гц	900 мкс
600…1000 Гц	450 мкс
1000…1600 Гц	150 мкс
2600…2800 Гц	750 мкс

2.1.2.7. Шумы:

взвешенный шум на выходе полусоединения (Lo=-1 dBr) не более -66,9 dBmp, на входе полусоединения (Li=-0 dBr) не более -63,5 dBmOp
селективные помехи на выходе полусоединения не более -50 дБмО импульсные помехи, -35 дБмО не более 0,65 kpl/5 мин

2.1.2.8. Переходные влияния:

f=1020 Гц, уровень 0 дБмО

на входе Z полусоединения, уровень в любом другом полусоединении на ближнем конце не более -73 дБмО, на другом конце не более -70 дБмО
на входе V2 полусоединения, уровень в любом другом полусоединении на ближнем конце не более -70 дБмО, на другом конце не более -73 дБмО

2.1.2.9. Суммарные искажения:

синусоидальный тестовый сигнал, f=1020 Гц

уровень сигнала,дБмО	отношение сигнала к суммарным искажениям, дБ
полусоединение Z-V2 (уровень 0 dBr)
0...-20	35,0
-20...-30	32,5
-30...-40	24,9
-40...-45	19,9
полусоединение V2-Z (уровень минус 1 dBr)
0…-10	35,0
-10…-20	33,8
-20…-30	28,8
-30…-40	19,5
-40…-45	14,5

2.1.2.10. Подавление внеполосных сигналов на входе полусоединения

направления Z -> V2

синусоидальный тестовый сигнал, частотой 4,6 - 72 кГц, уровень минус 25 дБмО
измерение в диапазоне 300 - 3400 Гц

ослабление ? 25 дБ

при измерении в диапазоне 10 - 4000 Гц

дополнительный шум должен быть не более 100 пВтОп

2.1.2.11. Паразитные внеполосные сигналы на выходе полусоединения:

направление V2 -> Z

синусоидальный тестовый сигнал, частотой 300 - 3400 Гц,

уровень 0 дБмО

измерение в диапазоне 4,6 кГц

уровень селективно измеренных паразитных сигналов

на выходе полусоединения не более минус 25 дБмО

2.1.2.12. Затухание отражения дифсистемы:

аналоговый вход нагружен на номинальное комплексное сопротивление

частота, Гц	затухание отражения, дБ
300...500	16
500...2500	20
2500...3400	16

2.2. Сигнализация

2.2.1.Питание шлейфа:

Напряжение стационарной батареи 54 В…72 В

ток питания шлейфа 20 мА…26 мА

тип устройства питания генератор тока

2.2.2. Параметры абонентской линии:

сопротивление шлейфа, включая телефонный аппарат 0…1600 Ом

сопротивление утечки > 20 кОм

емкость < 1,0 мкФ

2.2.3. Детектор состояния шлейфа:

искажения формы импульсов

набора номера < 6 мс

2.2.4. Детектор ответа абонента в момент посылки вызывного сигнала:

выключение вызывного сигнала при ответе абонента аппаратное

время выключения < 200 мс

2.2.5. Сигнализация разговорного состояния светодиодная

2.2.6. Вызывной сигнал:

мост питания 2 х 500 Ом

2.3 Ток, потребляемый от источников электропитания:

-(60+-12) В - не более 20 мА *

(12+-0,6)В - не более 15 мА на каждое включенное реле;

(5+-0,25)В - не более 120 мА *

-(5+-0,25)В - не более 12 мА *

где * - все абоненты находятся в пассивном состоянии.

2.4. ТЭЗ обеспечивает параметры, указанные в пп.3.1-3.3 в диапазоне напряжения батарейного электропитания -54…-72 В.

2.5. Масса ТЭЗ - не более 850 г.

2.6. Габариты блока - 294х236х24 mm.